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一、笔记本Vcore方案 

IMVP8/9:Intel Mobile Voltage Positionin

VR12.5:就是指FIVR集成式调压模块（Haswell架构）

PMIC:电源管理芯片(Power Management Integrated Circuits)

常见问题分析

1.  不开机,VCORE 短路 : 通常是因为Low side MOS短路造成.量测时可以先将MOS拿下来，再使用万用表量测DS两端的阻抗,再量测GS两端的阻抗,以确定是哪颗MOS短路（50Ohm以下为Fail）.通常如果发生Low side MOS有短路的情况,很大程度上High side MOS也会跟着烧毁.

 2. 烧CPU : 这种情况大多是因为High side MOS短路所至,由于High side MOS无法关断而导致+12V直接加到电感上造成VCORE太高而烧毁CPU.量测方法同上Low side MOS的量测方法.

 3 烧MOS : 由于烧MOS的情况有很种多样,归类一下,大概有以下几种:

(1). Short through: Short through的意思是指High Low side MOS有瞬间的同时导通,+12V瞬间短路形成大电流击毁MOS

(2)MOSFET DS或GS两端电压太高 : 每颗MOS的DS或GS都有一个上限的耐压值,超过这个电压就会打穿MOSFET.这种情况的发生通常是由于主板Layout不佳造成某个Phase的High side and Low side MOS之间的距离太远,而产生过大